Samsung: presentata la prima memoria RAM DDR5 da 512GB. Prestazioni doppie rispetto alle DDR4!

Samsung, leader mondiale nelle tecnologie di memoria avanzata, ha annunciato oggi di aver ampliato il proprio catalogo di memorie DRAM DDR5 con il primo modulo DDR5 da 512GB del settore basato sulla tecnologia di processo High-K Metal Gate (HKMG).

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Fornendo più del doppio delle prestazioni di DDR4 fino a 7.200Mbps, la nuova DDR5 sarà in grado di gestire i carichi di lavoro più pretenziosi e ad alta larghezza di banda in supercalcolo, intelligenza artificiale (AI) e apprendimento automatico (ML), nonché applicazioni di analisi dei dati.

“Samsung è l’unica azienda di semiconduttori con capacità logiche e di memoria e l’esperienza per incorporare la tecnologia logica all’avanguardia HKMG nello sviluppo di prodotti di memoria”, ha affermato Young-Soo Sohn, Vicepresidente del gruppo DRAM Memory Planning / Enabling presso Samsung. “Portando questo tipo di innovazione di processo nella produzione di DRAM, siamo in grado di offrire ai nostri clienti soluzioni di memoria ad alte prestazioni ma ad alta efficienza energetica per alimentare i computer necessari per la ricerca medica, i mercati finanziari, la guida autonoma, le città intelligenti e oltre”.

“Poiché la quantità di dati da spostare, archiviare ed elaborare aumenta in modo esponenziale, la transizione a DDR5 arriva a un punto di svolta critico per i data center cloud, le reti e le implementazioni edge”, ha affermato Carolyn Duran, Vicepresidente di Intel. “I di ingegneri di Intel collaborano strettamente con i leader delle memorie come Samsung per fornire memorie DDR5 veloci ed efficienti dal punto di vista energetico, ottimizzata per le prestazioni e compatibili con i nostri futuri scalabili Intel Xeon, nome in codice Sapphire Rapids”.

La DDR5 di Samsung utilizzerà la tecnologia HKMG altamente avanzata che è stata tradizionalmente utilizzata nei semiconduttori logici. Con il continuo ridimensionamento delle strutture DRAM, lo strato isolante si è assottigliato, portando a una corrente di dispersione più elevata. Sostituendo l’isolante con materiale HKMG, la DDR5 di Samsung sarà in grado di ridurre le perdite e raggiungere nuovi livelli di prestazioni. Questa nuova memoria utilizzerà anche circa il 13% in meno di energia, rendendola particolarmente adatta per i data center in cui l’efficienza energetica sta diventando sempre più critica.

Il processo HKMG è stato adottato nella memoria GDDR6 di Samsung nel 2018 per la prima volta nel settore. Espandendo il suo utilizzo in DDR5, Samsung consolida ulteriormente la sua leadership nella tecnologia DRAM di prossima generazione.

Samsung sta attualmente ancora testando queste nuove memorie, quindi potrebbe volerci ancora un po’ prima di vederle in commercio, ma sicuramente il sembra riservarci un sacco di sorprese dal punto di vista delle nuove tecnologie.

Nel frattempo Samsung ha presentato i nuovi velocissimi SSD 980 che avranno prezzi accessibili a tutti.

E voi cosa ne pensate? Fatecelo sapere come sempre nei commenti.

Fonte: Samsung